大尺寸高質量碳化矽（SiC）晶體(ti) 電阻法生長設備，具有溫場控製精度高、晶體(ti) 製備效率及質量高等特點，能夠實現SiC晶體(ti) 的高效、穩定、低缺陷生長。這是一款能夠推動我國第三代半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 未來布局與(yu) 競爭(zheng) 力的重大裝備。

本項目的實施將為(wei) 我國戰略性新興(xing) 產(chan) 業(ye) 第三代半導體(ti) 的發展提供重要保障，有利於(yu) 推動第三代半導體(ti) 在5G通信、射頻器件、新能源汽車、智能電網、軌道交通等國家新興(xing) 產(chan) 業(ye) 的深入應用，符合蘇州市2023年9月印發的《關(guan) 於(yu) 加快培育未來產(chan) 業(ye) 的工作意見》中“開展碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）等單晶襯底及外延材料製備，推動寬禁帶半導體(ti) 電力電子器件、射頻器件等關(guan) 鍵部件研發及產(chan) 業(ye) 化……”的發展戰略，促進江蘇省產(chan) 業(ye) 結構的轉型升級，確立蘇州市在我國第三代半導體(ti) 技術領域的領先地位。