電阻法大尺寸SiC晶體生長設備
UK-T6
UK-T8
6吋電阻法碳化矽晶體生長設備UK-T6
1、完美解決了感應爐徑向溫度梯度大的技術難點，可實現徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內部缺陷少， 良率高、重複性好；2、與傳統工藝長達7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV4.0設備晶體生長速度更快，整個過程可控製在7天之內；3、 自動化程度高，操控簡單，有利於批量生產，提高晶體生長效率和穩定性。
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8吋電阻法碳化矽晶體生長設備UK-T8
1、完美解決了感應爐徑向溫度梯度大的技術難點，可實現徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內部缺陷少， 良率高、重複性好；2、與傳統工藝長達7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV1.0設備晶體生長速度更快，整個過程可控製在7天之內；3、 自動化程度高，操控簡單，有利於批量生產，提高晶體生長效率和穩定性。
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溫度梯度控製優勢
4166am金沙信心之选科技憑借多年的工藝技術經驗，精準控製熱場溫度，確保晶體在生長過程中獲得最佳溫度梯度，提高了晶體的生長效率，還顯著降低了生產成本。 -
籽晶粘接優勢
公司獨特的籽晶處理技術，減少了籽晶裝配過程中人為因素對粘接的影響，提高粘接的成功率，解決了晶體生長過程中籽晶燒穿等問題。 -
綜合成本優勢
公司研發的電阻法碳化矽晶體生長設備配合晶體生長工藝，在確保品質的前提下，原材料利用率高，提升晶體厚度。
4166am金沙信心之选的解決方案
UKING SOLUTIONS
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發熱部件
石墨加熱器
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熱場結構
PVT石墨熱場
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溫度梯度
容易調節
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晶體(ti) 生長界麵
接近平麵
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晶體(ti) 利用率
高
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晶體(ti) 應力
應力較低
易加工
提高下遊製程良率 -
6-8寸晶體(ti) 生長
兼容
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單位晶片成本
低
電阻法大尺寸SiC晶體生長設備產品
6吋碳化矽晶體
8吋碳化矽晶體
6吋碳化矽晶體
碳化矽作為全球先進的第三代半導體材料，具有高熱導率、高擊穿電場強、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性，碳化矽功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應用中具有顯著優勢。
8吋碳化矽晶體
碳化矽作為全球先進的第三代半導體材料，具有高熱導率、高擊穿電場強、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性，碳化矽功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應用中具有顯著優勢。
碳化矽晶體生長過程
碳化矽晶體材料是種由碳和矽元素組成的寬禁帶化合物半導體材料，其生產條件需要在2250°C以上的高溫和接近真空的低壓環境下，使固態原料升華，並在高溫和濃度梯度的作用下，持續將碳、矽原子傳輸至位於石墨坩堝頂端的籽晶附近，進行晶體生長。
1.
碳化矽顆粒
Si+C=SiC
在晶體(ti) 生長過程中，碳化矽（SiC）原料的粒度和純度都會(hui) 直接影響晶體(ti) 質量。
2.
籽晶處理
獨特的籽晶粘接技術
為(wei) 籽晶粘接是晶體(ti) 生長過程中的關(guan) 鍵環節之一。為(wei) 了獲得高品質的晶體(ti) ，公司采用獨特籽晶處理工藝，滿足高質量晶體(ti) 生長要求。
3.
Uking電阻法
SiC晶體(ti) 生長技術
在晶體(ti) 生長過程中，通過精準控製熱場溫度和氣氛來保證晶體(ti) 生長的可靠性和穩定性。
碳化矽晶體檢測報告
采用UKING電阻法碳化矽晶體生長設備生長的SiC晶體，其微管密度、位錯密度和電阻率等指標均達到行業標準。
新能源汽車
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充電樁
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光伏發電
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特高壓
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風力發電
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軌道交通
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